<track id="nhczz"><span id="nhczz"></span></track>
    1. <bdo id="nhczz"><dfn id="nhczz"><menu id="nhczz"></menu></dfn></bdo><track id="nhczz"><div id="nhczz"><address id="nhczz"></address></div></track>

      1. <bdo id="nhczz"></bdo>

        一区二区乱视频在线,亚洲一区精品中文字幕,亚洲字幕一区二区精品,综合一区二区三区四区,一区二区三区四区在线播放,无码av人妻一区二区三区四区

        技術(shù)文章您現在的位置:首頁(yè) > 技術(shù)文章 > Keysight Technologies HMMC-1015 技術(shù)參數

        Keysight Technologies HMMC-1015 技術(shù)參數

        更新時(shí)間:2024-07-03   點(diǎn)擊次數:47次

        Keysight Technologies HMMC-1015 技術(shù)參數

        HMMC-1015是一種單片、電壓可變的GaAs IC衰減器,可工作
        從DC到50GHz。HMMC?1015的分布式拓撲結構最大限度地減少了寄生
        其串聯(lián)和并聯(lián)FET的效應,使HMMC-1015呈現出廣泛的動(dòng)態(tài)
        在其整個(gè)帶寬范圍內。片上直流參考電路可用于維護
        任何衰減設置的最佳VSWR或改善衰減與電壓的關(guān)系
        衰減器電路的線(xiàn)性

        HMMC-1015設計用于A(yíng)LC組件中的增益控制塊。

        由于HMMC-1015具有較寬的動(dòng)態(tài)范圍和回波損耗性能

        也可用作寬帶脈沖調制器或單極單擲、無(wú)反射

        轉換

        活動(dòng)

        HMMC?1002的衰減值通過(guò)施加負電壓進(jìn)行調整

        到V2。在任何衰減設置下,通過(guò)施加負電壓可獲得最佳VSWR

        電壓為V1。將負電壓(V2)施加到分流FET的柵極設置

        源極到漏極電阻,并建立衰減水平。應用負數

        到串聯(lián)FET的柵極的電壓(V1)優(yōu)化了的輸入和輸出匹配

        不同的衰減設置。在一些應用中,V1的單個(gè)設置可以提供

        在期望的衰減范圍(V2)上有足夠的輸入和輸出匹配。對于任何

        HMMC-1015可以調整V1的值,使得器件衰減與

        電壓對于V1和V2都是單調的;然而,這將sl

        也可以控制HMMC-1015的衰減和輸入/輸出匹配

        通過(guò)利用片上直流參考電路和

        驅動(dòng)器電路如圖4所示。該電路針對任何衰減設置優(yōu)化VSWR。

        由于工藝變化,VREF、RREF和RL的值各不相同

        如果需要最佳性能,則使用晶圓。給出了這些元素的典型值。

        電阻器R1和R2的比率決定了衰減對

        衰減器的電壓性能。有關(guān)性能的更多信息

        HMMC-1015和前面提到的驅動(dòng)器電路,參見(jiàn)WPTC的應用

        注:HMMC-1021衰減器:衰減控制,文獻編號5991-3555EN。對于

        更多S參數信息,請參閱WPTC的應用說(shuō)明,HMMC-1015衰減器:

        S參數,文獻編號5991-3556EN。

        裝配技術(shù)

        GaAs MMIC對ESD敏感。必須在所有方面采取ESD預防措施




        北京志鴻恒拓科技有限公司

        北京志鴻恒拓科技有限公司

        地址:北京市朝陽(yáng)區建國路88號soho現代城

        © 2024 版權所有:北京志鴻恒拓科技有限公司  備案號:京ICP備16029562號-5  總訪(fǎng)問(wèn)量:524814  sitemap.xml  技術(shù)支持:化工儀器網(wǎng)  管理登陸